Вероятно, предупреждая появление всевозможных вопросов среди поклонников продукции AMD после демонстрации
рабочих образцов чипов Shanghai и Deneb, компания решила создать
небольшой своеобразный FAQ по своей 45-нм производственной технологии.
Приведём ответы на ключевые вопросы, волнующие потребителей и всех, кто
не равнодушен к развитию процессорной индустрии.
Q1: Когда AMD представит свои 45-нм процессоры?
A1: Компания планирует начать производство в малых количествах
первых 45-нм процессоров в первой половине года, а поставки серийных
чипов стартуют во второй половине 2008 года.
Q2: Какие продукты будут первыми, выпущенными по 45-нм техпроцессу?
A2: Первыми 45-нм процессорами AMD станут четырехъядерные чипы с
кодовыми именами Shanghai (для серверных систем) и Deneb (для
настольных ПК). Q3: Какие технологические усовершенствования внедрит AMD при переходе на 45-нм нормы?
A3: В рамках перехода на 45-нм техпроцесс AMD внедрит новые
субмикронные технологии, а также усовершенствует существующие.
Улучшения касаются главным образом структуры транзисторов, схем
межсоединений и направлены на повышение соотношения «производительность
на ватт», а также на устранение проблем, связанных с уменьшением
размеров транзисторов.
Среди ключевых инноваций нового техпроцесса отмечаются:
- Иммерсионная литография. Благодаря сотрудничеству с IBM,
компания AMD применила иммерсионную литографию, что позволило увеличить
разрешение на 40% по сравнению с традиционными литографическими
методами при сопоставимом уровне затрат.
- Технология напряженного кремния четвертого поколения. В
рамках перехода на 45-нм нормы AMD задействует обновленную технологию
напряженного кремния, предусматривающую нанесения слоя
кремниево-германиевого (SiGe), а также применение методик Dual-Stress
Liner (использует оба типа так называемого «напряжения кремния») и
Strain Memorization (предполагает нанесение слоя нитрида кремния), что
позволит повысить скорость переключения транзисторов и
энергоэффективность.
- Диэлектрики Ultra-low-k. Данная технология появится позже и
не будет внедрена в первом поколени 45-нм продуктов. В рамках
технологии предполагается использование диэлектриков со сверхнизким
значением диэлектрической проницаемости, что позволит уменьшить
задержки прохождения сигналов в межсоединениях чипов на 15% и увеличить
в целом быстродействие процессоров.
- High-k/metal gates. В рамках подхода, называемого компанией
AMD Continuous Transistor Improvement (CTI), предполагается внедрение
новых high-k диэлектриков и металлических затворов, что позволит
обеспечить дальнейший рост производительности транзисторов. Как и
диэлектрики Ultra-low-k, новая технология «high-k/metal gates» будет
внедрена не сразу, а в следующих поколениях 45-нм продукции. Такой
поэтапный подход компании AMD и IBM называют «gate first approach».и
считают, что он позволит обеспечить более простой и оперативный переход
к использованию металлических затворов и high-k диэлектриков.
Большая часть приведенной выше информации уже появлялась в нашей
новостной ленте, а также на зарубежных интернет-ресурсах, но, надеемся,
для тех, кто не имеет возможности постоянно следить за новостями, этот
небольшой FAQ окажется полезным.
|