Производственный процесс при выпуске 51-нм NAND флэш-чипов может быть на 60% более эффективным, чем при массовом производстве тех же чипов, но по 60-нм технологии. Заметим, что очередной апгрейд производства компании произошёл спустя всего лишь восемь месяцев после объявления о начале массового выпуска 8-гигабитных NAND флэш-чипов по 80-нм технологии в прошлом августе.

На базе нового 16-гигабитного чипа, который обладает внутренней мультиуровневой структурой, можно выпускать 16-гигабайтные модули памяти. Кроме того, с применением новой технологии инженерам Samsung удалось добиться увеличения скорости чтения и записи на чип приблизительно на 80% по сравнению с показателями наработок других компаний.

Ячейки, с которыми работает NAND-память при записи и чтении информации, называются страницами. 60-нм NAND флэш-чип рассчитан на работу со страницами объёмом не более 2 килобайт, а 51-нм версия чипа может считывать данные с 4-килобайтных страниц. Новый продукт Samsung также поддерживает 4-битную технологию коррекции ошибок ECC.

Также компания предложит оптимизированный набор программного обеспечения и обновлений для устройств типа музыкальных телефонов и MP3-плееров, чтобы обеспечить полноценную поддержку 4-килобайтных страниц. Кстати, флэш-карточки памяти и многие MP3-контроллеры уже поддерживают ячейки памяти объёмом в 4 килобайта.

В любом случае, Samsung выбрала правильное время для перехода на производство новых чипов. Именно сейчас пользователями востребованы нововведения, которые привносит в свои чипы эта южнокорейская компания.