Как показали исследования, в транзисторах можно использовать более эффективные (с точки зрения потенциальности) углеродные слои толщиной всего лишь в десятые части нанометров, а это более чем в четыре раза тоньше самых тонких кремниевых транзисторов. В отличие от других экспериментальных нанотранзисторов, эти новые компоненты не требуют ни комплексного произведения, ни криогенного охлаждения.
|