В настоящее время на заводе Fab 11X организовано производство 300-миллиметровых подложек по 90-нанометровой технологии. Предполагается, что после переоснащения завод начнет выпуск продукции по передовой 45-нанометровой технологии. При этом будут внедрены ряд новых методик изготовления чипов.

Сейчас Intel изготавливает затворы транзисторов из диоксида кремния. В новых же процессорах затворы транзисторов станут металлическими. Кроме того, с переходом на 45-нанометровый техпроцесс Intel начнет применять диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k). Данные нововведения позволят уменьшить токи утечки и, соответственно, повысить производительность процессоров и снизить их энергопотребление.

Введение в строй модернизированной фабрики Fab 11X запланировано на вторую половину следующего года. Впрочем, производство чипов по 45-нанометровой технологии Intel намерена начать гораздо раньше. Так, во второй половине текущего года выпуск продукции по 45-нанометровой технологии начнет завод Fab D1D в Орегоне. Кроме того, до конца текущего года изготовление чипов с использованием 45-нанометрового техпроцесса начнет фабрика Fab 32 в Чэндлере (Аризона) стоимостью в три миллиарда долларов США. Наконец, в первой половине следующего года должен заработать завод Fab 28 в Кирьят-Гате (Израиль), строительство которого обойдется Intel в три с половиной миллиарда долларов.