Корейским исследователям удалось создать транзистор размером 10 нм. Это открытие может дать новый толчок развитию флэш-памяти. Напомним, что ранее возможности роста объема чипов ограничивались невозможностью создания структур меньше 32 нм. Теперь корейцам удалось решить эту проблему, использовав для своих сверхмелких транзисторов углеродные нанотрубки.

10 нм - это в 6 раз меньше, чем транзисторы в современных процессорах, и в 12 000 раз меньше толщины человеческого волоса. Использование корейского изобретения позволит в будущем получить чипы флэш-памяти объемом до 100 Гбайт. Во всяком случае, именно эту цифру назвал Ким Хюн-так, один из авторов открытия. Хотя, господин Ким и признался, что это лишь его весьма приблизительный и неточный прогноз.

Тем временем, уже в конце этого года на рынке может появиться память NRAM, в которой используются транзисторы на нанотрубках. Предполагается, что она будет значительно быстрее, чем современная DRAM, сообщает TG Daily.