Задействовав так называемые «ионные ветры», полученные в результате ускорения потока заряженных частиц воздуха между высоковольтными электродами, можно улучшить отвод тепла от полупроводниковых микросхем на 250%, утверждают ученые из университета Пердью (штат Индиана, США). Прототип, создание которого профинансировал Национальный научный фонд и компания Intel, подтвердил работоспособность идеи и показал, что исследователям удалось преодолеть эффект «прилипания», выражающийся в том, что молекулы воздуха, непосредственно прилегающие к поверхности чипа, при традиционных методах охлаждения остаются сравнительно неподвижными.

Прототип «ветрогенератора» состоит из двух высоковольтных электродов, расположенных по бокам тыльной стороны чипа. Напряжение, приложенное к ним, заряжает молекулы воздуха и заставляет их двигаться над поверхностью чипа. В результате, эффективность обычного вентилятора, охлаждающего микросхему, существенно возрастает. В частности, в ходе эксперимента, чип, охлаждаемый обычным вентилятором, имел температуру 60°C, а после включения генератора «ионного ветра» его температура снизилась до 35°С.

Проблема на данном этапе заключается в необходимости применения очень высокого напряжения. В прототипе расстояние между электродами составляло 10 мм, а напряжение было равно нескольким тысячам вольт. Чтобы понизить напряжение, ученые планируют уменьшить расстояние между электродами до нескольких микрон и заменить одиночные электроды массивом. Напряжение, прилагаемое к элементам массива, будет постепенно увеличиваться, создавая градиент потенциалов.

О сроках коммерциализации разработки данных пока нет.