На днях 50-нм гигабитные чипы южнокорейского
производителя прошли сертификацию компании Intel,
которая подтверждает совместимость с её современными чипсетами, а также
продуктами следующего поколения (вероятно, речь о чипсетах семейства
Intel 3 Series) при работе со скоростью 800 Мбит/с.
Отмечается, что переход с 80-нм на 50-нм техпроцесс удвоит
эффективность производства микросхем DDR2-памяти. В сравнении с 60-нм
техпроцессом новая технология позволяет повысить продуктивность на 50%.
Массовый выпуск DDR2-чипов по 50-нм техпроцессу стартует в
первой половине 2008 года. Новая технология будет также внедрена в
производство микросхем типа DDR3, GDDR4, GDDR5 и Mobile DRAM.
| 
|
